这些器件的目标是高性价比之反反激电源(最高45W)和升压电源(最高65W)。
JP8020使用基于光隔离器的反馈来针对传统反激式架构。 它可以使用传统的系统架构,在高达500 kHz的频率下工作,以改善变压器尺寸和功率密度。
JP8020实现了启动控制器和脉冲隔离接口,以实现外部原边或副边控制。 使用次级侧控制器可以改善瞬态响应并管理负载接口。
GaN HEMT Combo IC (JPX) |
GaN HEMT Controller (Leading shipment in the market) |
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Power Density | 17.0W/in^3 | 13.1W/in^3 |
Efficiency | 92% @110Vac, 100% Load | 92%@110Vac, 100% load |
Package | QFN6x6 | SOIC-8 |
Mode | QR/Current | QR/Current |
Combo SiP | Yes (Controller+HEMT+Startup FET) | No (Only Controller) |
Programmable Protection | OVP, OLP, Brown-in, Brown-out, OTP, SCP | OVP, OLP, Brown-in, Brown-out, OTP, SCP |
Switch Freq. | 50kHz~500kHz | 440kHz~560kHz |
Rising/Falling time | 5ns/5ns | 20ns/5ns |
Peak current accuracy | 5% | N/A |
System Output accuracy | 2% | N/A |
型号 | JP8020B150 | JP8020B225 | JP8020B450 | JP8020B365 | JP8020B165 |
支持功率 | 100~65W | 65~45W | 35~5W | 50~5W | 100~65W |
效率 | >92% | ||||
OLP | V | ||||
OPP | V | ||||
VCC OVP | V | ||||
OUTPUT OVP | V | ||||
OTP | V | ||||
PACKAGE | QFN8x8 | ||||
RDS (on) | 150mΩ | 225mΩ | 450mΩ | 365mΩ | 165mΩ |
控制芯片设计 | JPX(強弦) | ||||
控制芯片制造 | VIS(世界先進) |