SiC Schottky Barrier Diode

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第三代和第四代SiC肖特基势垒二极体(SBD)提供了卓越的性能和可靠性,
与矽基方案相比,具有更高的效率、更高的操作温度和更低的损耗。

它支持高频运行,关断时无恢复现象,并在反向电压高达650V时保持低漏电流。
这项技术有助于系统的小型化和轻量化设计。符合RoHS标准的组件,适合工业应用。

Device VRRM A IF (135℃) VF (25℃) Qc Datasheet
JP065008D4 650V 8A 12A 1.27V 21nC Downloads
JP065004D4 650V 4A 7A 1.27V 11nC Downloads
JP065010D3 650V 10A 14A 1.30V 29nC Downloads
JP065006D3 650V 6A 9.9A 1.30V 17nC Downloads
JP065002D3 650V 2A 5A 1.30V 6.8nC Downloads