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SiC Schottky Barrier Diode
第三代和第四代SiC肖特基势垒二极体(SBD)提供了卓越的性能和可靠性,
与矽基方案相比,具有更高的效率、更高的操作温度和更低的损耗。
它支持高频运行,关断时无恢复现象,并在反向电压高达650V时保持低漏电流。
这项技术有助于系统的小型化和轻量化设计。符合RoHS标准的组件,适合工业应用。
Device
V
RRM
A
I
F
(135℃)
V
F
(25℃)
Qc
Datasheet
JP065008D4
650V
8A
12A
1.27V
21nC
Downloads
JP065004D4
650V
4A
7A
1.27V
11nC
Downloads
JP065010D3
650V
10A
14A
1.30V
29nC
Downloads
JP065006D3
650V
6A
9.9A
1.30V
17nC
Downloads
JP065002D3
650V
2A
5A
1.30V
6.8nC
Downloads